
功率二极管多采用硅(Si)材料,通过掺杂形成PN结,其结构设计注重耐压与散热能力,常带有散热片或封装于铝制外壳中。而肖特基二极管则以金属(如铂、钯)与轻掺杂半导体结合,避免了少数载流子存储效应,从而实现超快响应。
由于肖特基二极管的正向压降低,功耗更小,发热量少,在相同负载下温升更低,有利于提升系统长期稳定性。然而,其反向漏电流较大,高温环境下容易劣化,限制了在极端温度条件下的使用。
相比之下,功率二极管虽然导通损耗较高,但其反向漏电流极小,且具备更强的过压承受能力,更适合恶劣工业环境。
在开关电源中,肖特基二极管因低导通压降可显著降低整流损耗,提升整体转换效率(可达95%以上),尤其在低压大电流场合优势明显。
例如,在5V/10A的电源模块中,使用肖特基二极管比传统功率二极管节省约3.5W的功耗,减少发热并延长寿命。
随着碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)等宽禁带半导体的发展,新型肖特基二极管(如SiC Schottky)正逐步替代传统硅基器件,具备更高耐压、更快开关速度和更低损耗,预示着下一代电力电子系统的变革。
在实际选型时,建议遵循以下原则:
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