N 通道功率 MOSFET,IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管,且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
参数 | 值 |
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产品 | MOS管 |
型号编码 | IXFH22N65X2 |
说明 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比,IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷,从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管,且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装,包括隔离类型,具有高达 120A(650V 时)额定值。 典型应用包括:直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 |
品牌 | IXYS Semiconductor |
封装 | TO-247-3 |
分类 | 型号 |
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二极管阵列 > | DSEI2X101-06A |
桥式整流器 > | VUO36-16NO8 |
TVS二极管 > | DSEP29-06A |
TVS二极管 > | DSEI12-12A |
二极管阵列 > | DSEI2X61-12B |
MOS管 > | IXFH44N50P |
二极管阵列 > | DSEI2X101-12A |
二极管阵列 > | DSEK60-06A |
TVS二极管 > | DSEI12-06A |
TVS二极管 > | DSEP30-12A |
FET驱动器 > | IXDN604SIATR |
FET驱动器 > | IXDN602SIATR |
MOS管 > | IXFH80N65X2 |
TVS二极管 > | DSEP60-12A |
功率二极管 > | DSEI30-06A |
TVS二极管 > | DSEI60-12A |
TVS二极管 > | DSEI60-06A |
固态继电器 > | CPC1008NTR |