IGBT 分立，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | IGBT晶体管 |
| 型号编码 | IXDN55N120D1 |
| 说明 | IGBT 分立，IXYS### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。 |
| 品牌 | IXYS Semiconductor |
| 封装 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 分类 | 型号 |
|---|---|
| 肖特基二极管 > | DSEP15-06B |
| FET驱动器 > | IXDI609PI |
| MOS管 > | IXTA8N50P |
| MOS管 > | IXTQ52N30P |
| MOS管 > | IXFH60N50P3 |
| IGBT晶体管 > | IXGH16N170 |
| SCR晶闸管 > | CS19-12HO1 |
| MOS管 > | IXTH96N20P |
| 二极管阵列 > | DPG60C400HB |
| FET驱动器 > | IX4427N |
| IGBT晶体管 > | IXDH20N120D1 |
| FET驱动器 > | IXDD604PI |
| IGBT晶体管 > | IXXH60N65B4H1 |
| MOS管 > | IXFH40N30Q |
| FET驱动器 > | IXDD614SI |
| IGBT晶体管 > | IXGN200N60B3 |
| 二极管阵列 > | DSEP2X91-06A |
| SCR晶闸管 > | CS45-16IO1 |
| FET驱动器 > | IXDD609SIA |
| MOS管 > | IXFN55N50 |
| MOS管 > | IXTP16N50P |
| MOS管 > | IXTK140N20P |
| SCR晶闸管 > | CS30-12IO1 |
| FET驱动器 > | IXDD609SI |
| MOS管 > | IXFH46N65X2 |
| MOS管 > | IXTK120N25P |
| FET驱动器 > | IXDD604SIA |
| MOS管 > | IXTH10P50P |
| MOS管 > | IXFH6N100 |
| MOS管 > | IXFK48N50 |
| MOS管 > | IXFK64N60P |
| MOS管 > | IXFN100N50P |
| FET驱动器 > | IXDN609SI |
| 功率二极管 > | DSEI2X31-06C |
| MOS管 > | IXFK102N30P |
| MOS管 > | IXFN64N50P |
| TVS二极管 > | DSEI120-06A |
| MOS管 > | IXTK180N15P |
| 二极管阵列 > | DSEK60-02A |
| MOS管 > | IXFH170N10P |
