N 通道功率 MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOS管 |
| 型号编码 | IXFH46N65X2 |
| 说明 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiPerFET™ X2 系列与功率 MOSFET 早期系列相比，IXYS X2 经典 HiPerFET 功率 MOSFET 系列可显著减小电阻和栅极电荷，从而降低损耗并提高操作效率。 这些坚固的设备包含增强型高速本征二极管，且适用于硬切换和谐振模式应用。 X2 类功率 MOSFET 提供各种工业标准封装，包括隔离类型，具有高达 120A（650V 时）额定值。 典型应用包括：直流-直流转换器、交流和直流电动机驱动器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波、太阳能逆变器、温度和照明控制。极低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 快速本质整流器二极管 低本质栅极电阻 低封装电感 工业标准封装 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 |
| 品牌 | IXYS Semiconductor |
| 封装 | TO-247-3 |
| 分类 | 型号 |
|---|---|
| MOS管 > | IXTK120N25P |
| FET驱动器 > | IXDD604SIA |
| MOS管 > | IXTH10P50P |
| MOS管 > | IXFH6N100 |
| MOS管 > | IXFK48N50 |
| MOS管 > | IXFK64N60P |
| MOS管 > | IXFN100N50P |
| FET驱动器 > | IXDN609SI |
| 功率二极管 > | DSEI2X31-06C |
| MOS管 > | IXFK102N30P |
| MOS管 > | IXFN64N50P |
| TVS二极管 > | DSEI120-06A |
| MOS管 > | IXTK180N15P |
| 二极管阵列 > | DSEK60-02A |
| MOS管 > | IXFH170N10P |
| MOS管 > | IXTA96P085T |
| 桥式整流器 > | GUO40-16NO1 |
| 二极管阵列 > | DSP45-16A |
| 二极管阵列 > | DSP25-12A |
| MOS管 > | IXTP75N10P |
| 二极管阵列 > | MDD95-16N1B |
| FET驱动器 > | IXDN602PI |
| MOS管 > | IXFN24N100 |
| 肖特基二极管 > | DSS2X121-0045B |
| 固态继电器 > | CPC1035NTR |
| MOS管 > | IXTQ170N10P |
| MOS管 > | IXTQ82N25P |
| IGBT晶体管 > | IXBH9N160G |
| 肖特基二极管 > | DSSK80-0045B |
| 中高压MOS管 > | IXFN60N80P |
| FET驱动器 > | IXDN602SIA |
| 二极管阵列 > | DSEI2X61-06C |
| MOS管 > | IXTA3N120 |
| 二极管阵列 > | DSP25-16A |
| 固态继电器 > | CPC1014NTR |
| 二极管阵列 > | DSP45-12A |
| 二极管阵列 > | DSA90C200HB |
| MOS管 > | IXTQ96N20P |
| MOS管 > | IXTQ460P2 |
| MOS管 > | IXFN48N50 |
